蕪湖人本合金有限責任公司

本研究采用體外著床后全胚胎培養方法，觀察了Ｖ２Ｏ５對小鼠胚胎生長發育的影響，結果顯示，Ｖ２Ｏ５濃度達１５ｍｇ／ｌ時可影響胚胎的生長發育和形態分化，導致胚胎畸形率增加。在１５ｍｇ／ｌ以下濃度僅顯示個別動物生長發育受影響，無明顯的劑量－反應關系。 采用體外著床后全胚胎培養方法，觀察了五氧化二釩對大鼠胚胎生長發育的影響。結果顯示，釩可影響體外大鼠卵黃囊的生長；影響胚胎的生長發育，隨著釩濃度的增加，生長發育遲緩加重，釩還可導致大鼠胚胎形狀分化異常，引起多種畸形，主要畸形部位為神經系統和體屈等。

高純五氧化二釩樣品在-(4+1)混合液中經微波消解處理,采用電感耦合等離子體質譜法測定樣品溶液中15種雜質元素(鈦、硅、鋁、鉻、鎳、銅、鉛、、磷、鐵、錳、鈣、鎂、鉀、鈉)的含量。采用內標法消除基體的影響。方法的檢出限(3s/k)在0.03~0.89μg·L-1之間。方法的加標回收率在90.0%~113%之間,相對標準偏差(n=8)小于5.0%。五氧化二釩5號樣品中8種雜質元素的測定值與石墨爐原子吸收光譜法進行核對,測得結果互相符合。

利用射頻磁控濺射方法,選取濺射時間為15,25,30和45min,在藍寶石襯底上沉積了V2O5薄膜。研究了其他實驗參量不變,濺射時間不同對薄膜結構、薄膜厚度、表面形貌、電學及光學性能的影響。實驗結果表明,制備出的薄膜為單一組分的V2O5薄膜,其在（001）面有明顯的擇優取向。隨著濺身時間的增加,結晶性能逐漸變強,晶粒尺寸也逐漸變大,而表面粗糙度值會逐漸降低;在晶體結構完整的基礎上,隨著濺射時間的增加,相變溫度和經歷的溫度范圍會逐漸增加,電學突變性能會降低。測試了薄膜在中紅外波段的高低溫透過率,結果顯示：當膜厚為350nm,波長為5μm時,薄膜的透過率從25℃時的81%變為300℃的7%,變化幅度可達74%;所有薄膜相變前后透過率的比值均為9~13,表現出了非常突出的光學開關特性。